5G, ആർട്ടിഫിഷ്യൽ ഇന്റലിജൻസ് (AI), ഇന്റർനെറ്റ് ഓഫ് തിംഗ്‌സ് (IoT) എന്നിവയുടെ ദ്രുതഗതിയിലുള്ള വികസനത്തോടെ, സെമികണ്ടക്ടർ വ്യവസായത്തിൽ ഉയർന്ന പ്രകടനശേഷിയുള്ള വസ്തുക്കളുടെ ആവശ്യം ഗണ്യമായി വർദ്ധിച്ചു.സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡ് (ZrCl₄)ഒരു പ്രധാന സെമികണ്ടക്ടർ മെറ്റീരിയൽ എന്ന നിലയിൽ, ഹൈ-കെ ഫിലിമുകൾ തയ്യാറാക്കുന്നതിൽ പ്രധാന പങ്ക് വഹിക്കുന്നതിനാൽ, നൂതന പ്രോസസ് ചിപ്പുകൾക്ക് (3nm/2nm പോലുള്ളവ) ഒഴിച്ചുകൂടാനാവാത്ത അസംസ്കൃത വസ്തുവായി ഇത് മാറിയിരിക്കുന്നു.
സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡും ഹൈ-കെ ഫിലിമുകളും
സെമികണ്ടക്ടർ നിർമ്മാണത്തിൽ, ചിപ്പ് പ്രകടനം മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനുള്ള പ്രധാന വസ്തുക്കളിൽ ഒന്നാണ് ഹൈ-കെ ഫിലിമുകൾ. പരമ്പരാഗത സിലിക്കൺ അധിഷ്ഠിത ഗേറ്റ് ഡൈഇലക്ട്രിക് വസ്തുക്കളുടെ (SiO₂ പോലുള്ളവ) തുടർച്ചയായ ചുരുങ്ങൽ പ്രക്രിയ നടക്കുമ്പോൾ, അവയുടെ കനം ഭൗതിക പരിധിയിലേക്ക് അടുക്കുന്നു, ഇത് ചോർച്ച വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിനും വൈദ്യുതി ഉപഭോഗത്തിൽ ഗണ്യമായ വർദ്ധനവിനും കാരണമാകുന്നു. ഹൈ-കെ മെറ്റീരിയലുകൾക്ക് (സിർക്കോണിയം ഓക്സൈഡ്, ഹാഫ്നിയം ഓക്സൈഡ് മുതലായവ) ഡൈഇലക്ട്രിക് പാളിയുടെ ഭൗതിക കനം ഫലപ്രദമായി വർദ്ധിപ്പിക്കാനും ടണലിംഗ് പ്രഭാവം കുറയ്ക്കാനും അതുവഴി ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളുടെ സ്ഥിരതയും പ്രകടനവും മെച്ചപ്പെടുത്താനും കഴിയും.
ഹൈ-കെ ഫിലിമുകൾ തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള ഒരു പ്രധാന മുന്നോടിയാണ് സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡ്. കെമിക്കൽ വേപ്പർ ഡിപ്പോസിഷൻ (CVD) അല്ലെങ്കിൽ ആറ്റോമിക് ലെയർ ഡിപ്പോസിഷൻ (ALD) പോലുള്ള പ്രക്രിയകളിലൂടെ സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡിനെ ഉയർന്ന ശുദ്ധതയുള്ള സിർക്കോണിയം ഓക്സൈഡ് ഫിലിമുകളാക്കി മാറ്റാം. ഈ ഫിലിമുകൾക്ക് മികച്ച ഡൈഇലക്ട്രിക് ഗുണങ്ങളുണ്ട്, കൂടാതെ ചിപ്പുകളുടെ പ്രകടനവും ഊർജ്ജ കാര്യക്ഷമതയും ഗണ്യമായി മെച്ചപ്പെടുത്താനും കഴിയും. ഉദാഹരണത്തിന്, TSMC അതിന്റെ 2nm പ്രക്രിയയിൽ വിവിധ പുതിയ മെറ്റീരിയലുകളും പ്രക്രിയ മെച്ചപ്പെടുത്തലുകളും അവതരിപ്പിച്ചു, ഉയർന്ന ഡൈഇലക്ട്രിക് കോൺസ്റ്റന്റ് ഫിലിമുകളുടെ പ്രയോഗം ഉൾപ്പെടെ, ഇത് ട്രാൻസിസ്റ്റർ സാന്ദ്രതയിൽ വർദ്ധനവും വൈദ്യുതി ഉപഭോഗത്തിൽ കുറവും നേടി.
ആഗോള വിതരണ ശൃംഖലാ ചലനാത്മകത
ആഗോള സെമികണ്ടക്ടർ വിതരണ ശൃംഖലയിൽ, വിതരണവും ഉൽപ്പാദന രീതിയുംസിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡ്വ്യവസായത്തിന്റെ വികസനത്തിന് നിർണായകമാണ്. നിലവിൽ, ചൈന, യുണൈറ്റഡ് സ്റ്റേറ്റ്സ്, ജപ്പാൻ തുടങ്ങിയ രാജ്യങ്ങളും പ്രദേശങ്ങളും സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡിന്റെയും അനുബന്ധ ഉയർന്ന വൈദ്യുത സ്ഥിരാങ്ക വസ്തുക്കളുടെയും ഉൽപാദനത്തിൽ ഒരു പ്രധാന സ്ഥാനം വഹിക്കുന്നു.
സാങ്കേതിക മുന്നേറ്റങ്ങളും ഭാവി സാധ്യതകളും
സെമികണ്ടക്ടർ വ്യവസായത്തിൽ സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡിന്റെ പ്രയോഗം പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുന്നതിൽ സാങ്കേതിക മുന്നേറ്റങ്ങൾ പ്രധാന ഘടകങ്ങളാണ്. സമീപ വർഷങ്ങളിൽ, ആറ്റോമിക് ലെയർ ഡിപ്പോസിഷൻ (ALD) പ്രക്രിയയുടെ ഒപ്റ്റിമൈസേഷൻ ഒരു ഗവേഷണ കേന്ദ്രമായി മാറിയിരിക്കുന്നു. ALD പ്രക്രിയയ്ക്ക് നാനോസ്കെയിലിൽ ഫിലിമിന്റെ കനവും ഏകീകൃതതയും കൃത്യമായി നിയന്ത്രിക്കാൻ കഴിയും, അതുവഴി ഉയർന്ന ഡൈഇലക്ട്രിക് കോൺസ്റ്റന്റ് ഫിലിമുകളുടെ ഗുണനിലവാരം മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു. ഉദാഹരണത്തിന്, പീക്കിംഗ് യൂണിവേഴ്സിറ്റിയിലെ ലിയു ലീയുടെ ഗവേഷണ സംഘം വെറ്റ് കെമിക്കൽ രീതി ഉപയോഗിച്ച് ഒരു ഉയർന്ന ഡൈഇലക്ട്രിക് കോൺസ്റ്റന്റ് അമോർഫസ് ഫിലിം തയ്യാറാക്കി ദ്വിമാന സെമികണ്ടക്ടർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ വിജയകരമായി പ്രയോഗിച്ചു.
കൂടാതെ, സെമികണ്ടക്ടർ പ്രക്രിയകൾ ചെറിയ വലിപ്പത്തിലേക്ക് പുരോഗമിക്കുമ്പോൾ, സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡിന്റെ പ്രയോഗ വ്യാപ്തിയും വികസിച്ചുകൊണ്ടിരിക്കുന്നു. ഉദാഹരണത്തിന്, 2025 ന്റെ രണ്ടാം പകുതിയിൽ 2nm സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ വൻതോതിലുള്ള ഉൽപ്പാദനം കൈവരിക്കാൻ TSMC പദ്ധതിയിടുന്നു, കൂടാതെ സാംസങ് അതിന്റെ 2nm പ്രക്രിയയുടെ ഗവേഷണവും വികസനവും സജീവമായി പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുന്നു. ഈ നൂതന പ്രക്രിയകളുടെ സാക്ഷാത്കാരം ഉയർന്ന ഡൈഇലക്ട്രിക് സ്ഥിരമായ ഫിലിമുകളുടെ പിന്തുണയിൽ നിന്ന് വേർതിരിക്കാനാവാത്തതാണ്, കൂടാതെ ഒരു പ്രധാന അസംസ്കൃത വസ്തുവായി സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡിന് സ്വയം പ്രാധാന്യമുണ്ട്.
ചുരുക്കത്തിൽ, സെമികണ്ടക്ടർ വ്യവസായത്തിൽ സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡിന്റെ പ്രധാന പങ്ക് കൂടുതൽ പ്രാധാന്യമർഹിക്കുന്നു. 5G, AI, ഇന്റർനെറ്റ് ഓഫ് തിംഗ്‌സ് എന്നിവയുടെ പ്രചാരത്തോടെ, ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള ചിപ്പുകൾക്കുള്ള ആവശ്യം വർദ്ധിച്ചുകൊണ്ടിരിക്കുന്നു. ഉയർന്ന ഡൈഇലക്ട്രിക് കോൺസ്റ്റന്റ് ഫിലിമുകളുടെ ഒരു പ്രധാന മുന്നോടിയായി സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡ്, അടുത്ത തലമുറ ചിപ്പ് സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ വികസനം പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുന്നതിൽ മാറ്റാനാകാത്ത പങ്ക് വഹിക്കും. ഭാവിയിൽ, സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ തുടർച്ചയായ പുരോഗതിയും ആഗോള വിതരണ ശൃംഖലയുടെ ഒപ്റ്റിമൈസേഷനും ഉപയോഗിച്ച്, സിർക്കോണിയം ടെട്രാക്ലോറൈഡിന്റെ പ്രയോഗ സാധ്യതകൾ വിശാലമാകും.
പോസ്റ്റ് സമയം: ഏപ്രിൽ-14-2025